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北京大学研制成功10nm碳纳米管CMOS器件
日期: 2015年05月11日 14:48       来源:北京市科委
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    近日,在北京市科委先导与优势材料创新发展专项支持下,北京大学彭练矛教授团队在全世界范围内首次成功研制出10纳米碳纳米管CMOS器件,与同尺寸硅基器件相比,该器件速度是其5倍,而功耗仅为1/5,并在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路。课题的研究成果表明在10纳米以下技术节点,碳纳米管CMOS器件相对于硅基CMOS器件具有巨大优势,这将大大增强研究机构和芯片公司对碳纳米管电子学的信心,为2020年之后的集成电路技术的发展和选择奠定重要基础。
  下一步,该团队将继续优化碳纳米管CMOS器件制备工艺,建立标准的碳基CMOS器件技术加工平台,并基于该平台开发碳纳米管CPU,最终推动碳基集成电路在下一代通用芯片和消费电子等领域的应用。
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